CN120280340A 一种半导体结构制造方法及半导体结构 （上海邦芯半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120280340A

(43)申请公布日2025.07.08

(21)申请号202510764355.6

(22)申请日2025.06.10

(71)申请人上海邦芯半导体科技有限公司

地址201304上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房

(72)发明人王士京王兆祥梁洁张名瑜李俭胥沛雯

(74)专利代理机构上海华霆知识产权代理事务所(普通合伙)31576

专利代理师张磊

(51)Int.Cl.

H01L21/3065(2006.01)

H01L21/311(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书13页附图5页

(54)发明名称

一种半导体结构制造方法及半导体结构

(57)摘要

CN120280340A本申请公开了一种半导体结构制造方法及半导体结构，制造方法包括：使用刻蚀工艺，对衬底进行预设次数的周期性循环刻蚀，在衬底上形成第一中间结构，并对第一中间结构进行第一处理，包括使用第一气体和第二气体，去除第一中间结构侧壁上沉积的钝化层的部分厚度，并与侧壁上存在且露出的凸起部表面的衬底材料反应，生成反应产物层；以及使用第三