CN119403181A 半导体结构及其制备方法 (北京燕东微电子科技有限公司).pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约2.52万字
  • 约 23页
  • 2026-07-26 发布于重庆
  • 举报

CN119403181A 半导体结构及其制备方法 (北京燕东微电子科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119403181A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202411732485.3

(22)申请日2024.11.28

(71)申请人北京燕东微电子科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区经海四路51号院1号楼5层516

(72)发明人常东旭王超

(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理

有限公司11449

专利代理师高柏通

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D12/00(2025.01)

H10D12/01(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档