2025合肥晶合集成电路股份有限公司社会招聘928笔试历年常考点试题专练附带答案详解.docxVIP

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2025合肥晶合集成电路股份有限公司社会招聘928笔试历年常考点试题专练附带答案详解.docx

2025合肥晶合集成电路股份有限公司社会招聘928笔试历年常考点试题专练附带答案详解

一、单项选择题

下列各题只有一个正确答案,请选出最恰当的选项(共30题)

1、在数字电路设计中,CMOS逻辑门在静态状态下(即输入稳定时)的主要功耗来源是?

A.动态开关功耗

B.短路电流功耗

C.静态漏电流功耗

D.电容充放电功耗

2、关于SRAM存储单元的结构特性,下列说法正确的是?

A.需要定期刷新以维持数据

B.由6个晶体管组成基本存储单元

C.集成度高于DRAM

D.访问速度低于DRAM

3、在VerilogHDL行为级建模中,阻塞赋值(BlockingAssignment)与非阻塞赋值(Non-blockingAssignment)的主要区别在于?

A.阻塞赋值用于组合逻辑,非阻塞用于时序逻辑

B.阻塞赋值立即更新变量,非阻塞在仿真结束时更新

C.两者无本质区别,仅语法不同

D.非阻塞赋值优先级更高

4、FPGA开发流程中,将网表文件转换为特定器件可用的配置文件的过程称为?

A.综合(Synthesis)

B.布局布线(PlaceRoute)

C.仿真(Simulation)

D.综合与布局布线的统称

5、I2C总线通信中,起始条件和停止条件的定义是?

A.SCL高电平期间SDA由高变低为起始,由低变高为停止

B.SCL低电平期间SDA由高

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