低压静电驱动纳米机电开关设计与制造.pdfVIP

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低压静电驱动纳米机电开关

伊东浩和小野孝仁

东学工学研究科

钨作为基材的静电驱动纳米机电（NEM）开关通过使用Bosch工艺的反应离子

刻蚀进行设计和制造，并对其开关性能进行了评估。这些NEM开关由三个电极组成，

即栅极、漏极和纳米机械源。对于具有灵活机械结构电执行器窄电极间隙的硅基开关，

实现了0.8V的低开关电压。开发了一种使用Bosch工艺的高深宽比钨刻蚀方法，并且也

开发了基于钨的NEM开关。

，静电驱动器，反应离子刻蚀（DRIE），博世工艺

引言

在工业产品中的快速发展在条件下的领域中尤为显著，例如车辆、各种

和反应堆[1]。然而，最常用的继电器元件MOSFET在这些条件下容易产生不正

确的操作信号[2‑5]。高低温会导致载流子迁移率的变化，高辐射则会造成损伤和电气

误操作。这些故障主要由通道载流子引起。相比之下，纳米机电（NEM）开关作为继电

器元件在结