CN119890029A 一种基于量子点的耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法 (长春理工大学).pdfVIP

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  • 2026-07-28 发布于重庆
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CN119890029A 一种基于量子点的耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法 (长春理工大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119890029A

(43)申请公布日2025.04.25

(21)申请号202411727075.XB24B49/00(2012.01)

B24B1/00(2006.01)

(22)申请日2024.11.28

(71)申请人长春理工大学

地址130028吉林省长春市卫星路7089号

申请人北京理工大学

中国人民解放军国防科技大学

(72)发明人郝群陈梦璐石峰赵雪彭星

乔冬阳

(74)专利代理机构北京盛广信合知识产权代理

有限公司161

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