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中环领先半导体笔试真题（含详细答案）

考试说明：考试时长120分钟，满分100分，适用于半导体工艺、设备、研发、质量、制程等岗位，题型包含选择题、判断题、简答题、工艺实操题、综合论述题，贴合中环领先硅片制造、外延、抛光核心业务。

一、单项选择题（共15题，每题2分，共30分）

1、目前半导体产业应用最广泛的衬底材料是（）

A.锗（Ge）B.硅（Si）C.碳化硅（SiC）D.氮化镓（GaN）

答案：B

解析：硅材料成本低、工艺成熟、稳定性强，占据全球半导体衬底90%以上市场，是中环领先核心主营产品；SiC、GaN为第三代半导体材料，多用于功率器件，尚未大规模普及。

2、PN结正向导通的核心原理是（）

A.外电场抵消内电场，多数载流子扩散运动加剧

B.外电场增强内电场，少数载流子漂移运动加剧

C.晶格结构发生改变D.载流子完全耗尽

答案：A

解析：PN结正向偏置时，外加电压方向与内建电场相反，削弱内电场，打破扩散与漂移平衡，P区空穴、N区电子等多数载流子持续扩散，形成导通电流。

3、半导体晶圆制造中，去除表面多余薄膜、平整晶圆的核心工艺是（）

A.光刻B.刻蚀C.CMP化学机械抛光D.外延

答案：C

解析：CMP是中环领先硅片加工关键工艺，通过化学腐蚀+机械研磨，实现晶圆全局平坦化，是先进制程必备工序；光刻负责图形转移，刻蚀负责去除