功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板标准研究报告.docxVIP

SJ/T12005-2025功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板标准发展报告

EnglishTitle

DevelopmentReportonStandardSJ/T12005-2025—ActiveMetalBrazing(AMB)SiliconNitrideCeramicCopper-CladSubstrateforPowerSemiconductorPackaging

摘要

本报告系统阐述了SJ/T12005-2025《功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板》标准的制定背景、技术内涵、产业影响及未来展望。随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代宽禁带半导体材料的快速产业化，功率半导体器件对封装基板的热管理性能、绝缘可靠性和机械强度提出了严苛要求。活性金属钎焊（AMB）氮化硅陶瓷覆铜基板凭借其优异的热导率（≥80W/(m·K)）、高绝缘耐压（≥6kV）及与硅芯片匹配的热膨胀系数，已成为高压大功率模块（如电动汽车电驱系统、智能电网变流器、轨道交通牵引系统）的核心封装材料。然而，长期以来国内AMB氮化硅基板行业缺乏统一的产品标准，导致产品性能参差不齐，严重制约了下游高端应用的国产化进程。本标准由中国电子技术标准化研究院牵头，联合国内主要陶瓷基板生产企业和半导体器件封装厂商共同制定，于2025年