半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法标准研究报告.docxVIP

SJ/T12032-2025半导体器件分立器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法标准发展报告

EnglishTitle

DevelopmentReportonSJ/T12032-2025StandardforTestMethodsofElectricalParametersofSiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor(SiCMOSFET)DiscreteSemiconductorDevices

摘要

碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为第三代宽禁带半导体器件的代表性产品，在电力电子变换、新能源汽车、光伏逆变器、智能电网及航空航天等高温、高频、高压应用场景中展现出显著优势。然而，由于SiCMOSFET材料特性与硅基器件存在本质差异，其电参数测试方法长期缺乏统一的行业规范，导致不同厂商测试结果可比性差、质量控制困难，严重制约了产业链协同发展与国际贸易互认。在此背景下，SJ/T12032-2025《半导体器件分立器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法》电子行业标准应运而生。本标准由中国电子技术标准化研究院牵头，联合国内碳化硅器件研制、测试及应用领域的核心企事业单位共同起草，经全国半导体器件标