LED外延芯片用砷化镓衬底.docxVIP

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  • 2026-07-30 发布于广东
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ICS29.045CCSH83

中华人民共和国国家标准

GB/T30856—2025代替GB/T30856—2014

LED外延芯片用砷化镓衬底

GaAssubstratesforLEDepitaxialchips

2025-08-01发布2026-02-01实施

国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

发布

GB/T30856—2025

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件代替GB/T30856—2014《LED外延芯片用砷化镓衬底》,与GB/T30856—2014相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:

a)更改了规格(见4.1.2,2014年版的4.3);

b)更改了电学性能的要求(见5.1,2014年版的4.4);

c)更改了参考面及切口的要求(见5.2,2014年版的4.4);

d)更改了表面晶向及晶向偏离的要求(见5.3,2014年版的4.5);

e)更改了位错密度的要求(见5.4,2014年版的4.6);

f)更改

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