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基于碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）的下一代电力电子变换器在虚拟电厂柔性互联中的应用

摘要

本报告聚焦宽禁带半导体器件——碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）驱动的下一代电力电子变换器，在虚拟电厂（VPP）柔性互联场景中的深度应用，预测周期为2025年至2030年。核心判断是：SiC/GaN器件凭借高频、高效、耐高温的物理极限突破，正从底层硬件重塑能量路由器的功率密度天花板与动态响应边界，使其从传统的工频隔离、笨重低效的形态，向高频化、模块化、智能化方向演进。报告预测，到2028年，基于SiC/GaN的固态变压器与能量路由器将在中低压配电网VPP互联节点中占据超过35%的新增