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基于氧化镓的极高压耐压器件在eVTOL未来1000V以上轻量化配电系统的前瞻布局与2030年路线图

摘要

本报告聚焦宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O

核心发现表明，氧化镓功率器件凭借其超宽禁带（约4.8eV）、高临界击穿场强（预计可达8MV/cm）的物理优势，在1000V以上直流配电系统中，相较碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），可实现固态断路器、变换器与配电单元的重量降低30%–50%、体积缩小40%以上，为eVTOL提供颠覆性的有效载荷与航程增益。

报告沿“宏观环境—产业链现状—竞争格局—需求趋势—技术预测—机会建议”的递进逻辑展开：第一章界定氧化镓器件与eVTO