CN119640382A 一种4英寸低位错锑化铟<211>方向单晶的制备方法 (云南昆物新跃光电科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-07-31 发布于重庆
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CN119640382A 一种4英寸低位错锑化铟<211>方向单晶的制备方法 (云南昆物新跃光电科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119640382A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411743614.9C30B29/40(2006.01)

(22)申请日2024.11.30

(71)申请人云南昆物新跃光电科技有限公司

地址650223云南省昆明市教场东路31号

201副楼

(72)发明人何雯瑾陈建才叶薇刘世能

杨善亮张丽霞李宗勤杨雪

陈建花

(74)专利代理机构北京艾纬铂知识产权代理有

限公司16101

专利代理师周蜜

(51)Int.Cl.

C30B15/00(2006.01)

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