CN119894010A 半导体结构及其形成方法 (深圳市昇维旭技术有限公司).pdfVIP

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  • 2026-07-31 发布于重庆
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CN119894010A 半导体结构及其形成方法 (深圳市昇维旭技术有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119894010A

(43)申请公布日2025.04.25

(21)申请号202510377902.5

(22)申请日2025.03.28

(71)申请人深圳市昇维旭技术有限公司

地址518111广东省深圳市龙岗区平湖街

道辅城坳社区新源三巷1号B栋104

(72)发明人夏军赖国文王義传

(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31327

专利代理师张雪琴

(51)Int.Cl.

H10D1/68(2025.01)

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书11页

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