CN119905897A 半导体发光结构及其制备方法 (中国人民解放军国防科技大学).pdfVIP

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  • 2026-07-31 发布于重庆
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CN119905897A 半导体发光结构及其制备方法 (中国人民解放军国防科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119905897A

(43)申请公布日2025.04.29

(21)申请号202510404972.5

(22)申请日2025.04.02

(71)申请人中国人民解放军国防科技大学

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