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第三代半导体在数据中心HVDC供电架构中的电力电子革命

摘要

本报告聚焦以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，在数据中心240V/336V高压直流（HVDC）供电架构中的深度应用与市场重构潜力。研究范围覆盖全球及中国数据中心供电市场，时间跨度截至2026年并延伸至2030年的技术路线预测。

报告核心发现，SiC/GaN器件正从“试点替代”进入“规模化部署”的临界点。在高效整流与变换环节，基于SiCMOSFET的HVDC整流模块效率可达98.5%以上，相较于传统硅基方案，功率密度提升300%，体积减少60%。336V全SiC直转48V的拓扑结构，正突破传统