A05.场效应晶体管的主要参数.pptxVIP

CONTENTS主要内容01直流参数02交流参数03极限参数

直流参数开启电压UGS(th)夹断电压UGS(off)UDS为定值时，产生ID所需的最小|UGS|值；增强型MOS管参数。UDS为定值时，ID减小到某一微小值对应的UGS值；耗尽型MOS管参数。UGS=UGS(th)UGS=UGS(off)

饱和漏电流IDSSUDS=0时，UGS与栅极电流的比值；即由于栅极几乎不索取电流，绝缘栅型场效应管的RGS一般几千M?以上。输入直流电阻RGSUGS=0时，耗尽型MOS管的漏极电流。直流参数

交流参数低频跨导UDS为常数时，ID的微变量与相应的UGS微变量之比，即：反应栅压对漏极电流的控制能力，即放大能力。dIDdUGS

交流参数极间电容存在于场效应管PN结之间CGS、CDS，高频应用时需考虑其影响。交流输出电阻输出特性上静态工作点处切线斜率的倒数。在恒流区内数值最大，一般在几十千欧到几百千欧之间。

最大耗散功率UGS可以在正负值的一定范围内控制ID受管子的最高工作温度和散热条件的限制极限参数最大漏源电压栅源击穿电压栅极与沟道间的PN结的反向击穿电压。允许功率损耗的最大值。

思考场效应管特性是否会受温度影响呢？温度升高其特性曲线会如何变化呢？

总结场效应晶体管主要参数直流参数开启电压UGS(th)夹断电压UGS(off)饱和漏电流IDSS输入直流电阻RSG