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微电子器件学习题库及答案

1.PN结是微电子器件的核心结构之一，其核心工作特性是下列哪一项？（5分）

A.单向导电性

B.光电效应

C.热电离特性

D.量子隧穿效应

2.N沟道增强型MOSFET的阈值电压Vth是指当栅源电压Vgs______（填“大于”或“小于”）Vth时，半导体表面形成反型层（导电沟道），器件开始导通。（4分）

3.简述双极型晶体管（BJT）工作在放大区时的电流传输基本原理。（8分）

4.某N沟道耗尽型MOSFET，结构包含栅极、栅氧化层、源极、漏极、P型衬底。请指出该器件的三个主要电极名称，并分别说明其在器件导通时的主要作用；同时说明该器件的导通条件与N沟道增强型MOSFET的差异。（10分）

答案解析：

1.答案：A

解析：PN结由P型与N型半导体结合形成，内建电场使其核心特性为单向导电性，正向偏置时多子扩散形成大电流，反向偏置时漂移电流近似为零，是整流、稳压等器件的核心基础。光电效应对应光电类器件特性，热电离特性与半导体载流子激发相关，量子隧穿效应为隧穿器件特性，均非PN结核心工作特性。

2.答案：大于

解析：N沟道增强型MOSFET衬底为P型，阈值电压Vth为正值；当栅源电压Vgs大于Vth时，栅氧化层电场在衬底表面感应出N型反型层（导电沟道），源漏形成电流通路，器件导通；若Vgs小于Vth，则无法形成反型层，器件截止。

3.答