100V 4.4A N-通道PowerTrench®MOSFET特性与应用.pdfVIP

FDM3622

N‑通道PowerTrench®MOSFET

100V，4.4A，60mΩ

特性

在V = 10V和I = 4.4A下的最大r

GSD

DS(on) = 60mΩat在VS = 6.0V和I = 3.

GD

的 = 80mΩat低米勒电荷

8A下最大rDS(on)

低RR体二极管高频下优化效率

Q

■和重复脉冲的UIS能力符合RoHS

一般描述

此N沟道MOSFET采用FairchildSemiconductor的先进PowerTrench®工艺制造，该

工艺特别优化以最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。

应用分布式电源架构

ES和VRM。适用于24V和48V系

的开关高压同步整流器原型开发类型

统主

82744

FDM3622

N-ChannelPowerTrench®MOSFET

100V,4.4A,60mΩ

Features

Maxr  60mΩatV  10V, I  4.4A

DS(on)GSD