电子行业深度报告：AI算力驱动，硅电容乘势而起.pptxVIP

投资要点

n硅电容：以半导体工艺重塑被动元件性能边界。硅电容以单晶硅为衬底，通过薄膜沉积、光刻与深硅刻蚀等半导体工艺制造，在高频、高温、超薄及高可靠性场景中具备显著优势。产业内主要有平面（Planar）、深沟槽（DTC）和过孔集成（VIC）三种硅电容路线。平面结构工艺最成熟，基于电极板形成电容，结构简单，容值密度有限，厚度常规，用于传统或低端场景。DTC工艺成熟，通过刻蚀高纵横比深沟槽并在侧壁沉积介质及电极材料，大幅增加有效面积，容值密度高，厚度不足40µm，用于AI服务器、高速光模块等高性能主流应用。VIC产业化处于导入加速期，容值密度更高，具有进一步减薄和集成潜力，更适用于