基于GaN器件的板级沉浸式液冷48V供电架构在AI服务器中的全集成趋势预测.docxVIP

PAGE2

基于GaN器件的板级沉浸式液冷48V供电架构在AI服务器中的全集成趋势预测

摘要

本报告聚焦数据中心新兴应用领域，系统研判基于氮化镓（GaN）器件的板级沉浸式液冷48V供电架构在AI服务器中的全集成趋势，预测周期覆盖2025年至2030年。研究核心判断为：GaN器件在液体冷却环境下的超频运行能力将突破现有供电密度瓶颈，驱动2027年后AI训练服务器实现供电与冷却一体化融合，形成“芯片-电源-冷却”三位一体的板级全集成架构。

关键预测数据表明，至2028年，沉浸式液冷环境下GaN基48V供电模块的功率密度将突破5kW/in3，较当前水平提升300%以上；全集成架构在AI训练服务器中的渗透率将从2025年的不足3%跃升至2030年的45%以上。报告遵循“环境→现状→趋势→演进→预测→影响→建议”逻辑展开：第一章界定研究范围与方法，第二章分析宏观环境与驱动因素，第三章梳理行业现状与竞争格局，第四章系统研判核心趋势，第五章构建趋势演进时间线，第六章进行场景推演与量化预测，第七章评估趋势影响与战略机遇，第八章提炼结论与建议。读者仅凭摘要即可把握全文核心判断与关键数据。

第一章报告概述

1.1研究背景与目标

AI大模型训练对算力需求的指数级增长，正将数据中心供电架构推向物理极限。当前12V供电架构在单机柜功耗突破100kW后，母线损耗已占总功耗的8%以上，成为制约算力密度