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电场辅助溶液法制备和掺杂氧化锌纳米结构和薄膜

引言

氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽禁带半导体功能材料，在室温下具有3.3eV的带隙宽度以及高达60meV的激子束缚能，于紫外波段展现出强自由激子跃迁发光特性。其原材料资源丰富、价格低廉且无毒害，适合薄膜外延生长，在信息光电领域具备广泛的应用前景，成为近年来继氮化镓（GaN）之后的又一研究热点。

制备高质量的ZnO纳米线/棒阵列的方法众多，如气-液-固法（VLS）、化学气相沉积法（CVD）、模板法、水溶液法等。然而，VLS和CVD法需要复杂设备、高温环境以及金属催化剂，不利于大面积薄膜制备；模板法在去除模板时易造成薄膜塌陷和棒结构破坏，实现大面积均一薄膜制备存在困难。与之相比，水溶液法设备简单、反应条件温和、无需催化剂且环境友好，是大面积制备一维ZnO微结构的理想选择。目前，国际上常用锌的前驱体盐和铵盐制备ZnO纳米棒阵列，也有采用NaOH作为复合反应盐的方法，此方法简化了反应体系，强碱环境降低了对生长基底表面的要求，更利于大面积生长，但存在ZnO棒生长停滞以及生长形态受基底表面状态影响大等问题。而电场辅助溶液法为解决这些问题提供了新的途径。

电场辅助溶液法制备氧化锌纳米结构和薄膜的原理

电场对离子迁移的影响

在溶液法制备氧化锌的体系中，通常涉及锌离子（Zn^{2+}）和氢氧根离子（O