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IGBT模块的封装与测试考核试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

1.IGBT模块中，用于实现芯片与散热器绝缘并兼顾导热的关键结构是（）

A.铜键合线B.硅凝胶C.DBC基板D.锡焊层

2.下列参数中，直接反映IGBT开关速度的是（）

A.VCE(sat)B.VGE(th)C.di/dtD.RθJC

3.关于IGBT模块封装灌封工艺，正确的是（）

A.灌封胶固化温度越高，固化速度越快，性能越好

B.灌封胶需完全覆盖芯片和键合线，避免气泡残留

C.灌封胶厚度越薄，导热性能越好

D.灌封胶固化后无需进行二次固化处理

4.动态测试中，导致IGBT开关损耗（Eon+Eoff）增大的可能原因包括（）

A.栅极电阻Rg减小B.键合线虚焊C.环境温度降低D.负载电流减小

5.下列属于IGBT模块静态测试项目的是（）

A.开关时间测试B.热阻测试C.集电极-发射极饱和压降测试D.振荡测试

6.DBC基板的主要材料特性应满足（）

A.高绝缘强度B.高导热系数C.低热膨胀系数