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硅超大规模集成电路工艺技术—理论、实践与模型课后习题答案.pdfVIP

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  • 2026-08-07 发布于河北
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硅超大规模集成电路工艺技术—理论、实践与模型课后习题答案.pdf

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    1.2.Assumingdopantatomsareuniformlydistributedinasiliconcrystal,howfarapartare

    153183203

    theseatomswhenthedopingconcentrationisa).10cm,b).10cm,c).5l0cm.

    Answer:

    Theaveragedistancebetweenthedopantatomswouldjustbeoneoverthecuberootofthe

    dopantconcentration:

    X=N,/3

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