超高场脑灌注成像中pCASL脉冲间相位校正.pdfVIP

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用于场脑灌注成像的伪连续动脉自

旋标记（pCASL）稳健的脉冲间相位校

正利迪安·希尔1,2，克lement斯特凡·德贝克1,2，杰罗姆·翁2，扬·

1,3，和

埃马··巴比耶1,3

1格勒诺布尔阿尔卑斯大学，格勒诺布尔学，法国格勒诺布尔，2布鲁克生物自旋，德国

埃特，3法国国家健康与医学，U836，法国格勒诺布尔

目标受众：从事高磁场下通过动脉自旋标记（ASL）进行灌注MRI研究的研究人员。

目的：为了克服连续动脉自旋标记（CASL）中遇到的高比吸收率（SAR）等限制，引入

了一种伪连续方法（pCASL）。这种标记技术通过快速连续应用一系列短射频脉冲来模

拟连续方法。为了匹配标记过程中流动自旋的相位演变，应用了脉冲间相位增量1。然而，

在非常高场强下，远离等的标记平面中的B0不均匀性对自旋的相位产生了强烈影响。

这导致了较低的反转效率（IE），从而降低了相对ASL信号。先前在非常高磁场下的报告

2将标记平面置于等，从而以牺牲图像质量