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太阳电池用α-SiCx:H薄膜稳定性的多维度探究与提升策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着全球能源需求的不断增长以及对环境保护的日益重视，太阳能作为一种清洁、可再生的能源，其开发与利用受到了广泛关注。太阳能电池作为将太阳能转化为电能的关键器件，在过去几十年间取得了显著的发展。从早期的单晶硅太阳能电池，到后来的多晶硅、非晶硅薄膜太阳能电池，以及近年来新兴的钙钛矿太阳能电池等，太阳能电池的种类日益丰富，光电转换效率不断提高，成本逐渐降低。据相关数据显示，中国光伏电池产量占全球总产量的比例持续保持在高位，2024年上半年我国太阳能电池（光伏电池）产量累计值达28629.4万千瓦，期末总额比上年累计增长17.8%，市场规模持续扩大。

在众多太阳能电池材料中，α-SiCx:H薄膜以其独特的性能优势，成为了研究的热点之一。α-SiCx:H薄膜是一种硅系宽带隙半导体，作为第三代宽带隙半导体薄膜材料，它具有能带间隙可调、热导率高、硬度高以及化学稳定性好等优点。在适当的温度条件下，其内部几乎不存在杂质的扩散，并且在室温下可以抵抗各类酸性腐蚀剂。这些优异的特性使得α-SiCx:H薄膜在太阳能电池窗口材料、薄膜晶体管、高温电子器件、发光二极管、紫外图像传感器、微细超流涂层以及防腐抗氧化涂层等方面都得到了广泛应用。

在太阳能电池中，α-SiCx:H薄膜主要用作窗口层材料。窗口层在