100V 55A 26mΩN-通道增强型MOSFET特性与应用.pdfVIP

table{边框‑合并:崩塌;}table,th,td{边框:1px实线#000;}

FQP55N10

N‑通道QFET®MOSFET

100V，55A，26mΩ

描述此N‑通道增强型

模式功率MOSFET采用FairchildSemiconductor®的专有平面条纹和DMOS技

术制造。这种先进的MOSFET技术特别优化以降低导通电阻，并卓越的开关性能和

高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电

源应用。

特性

•55A，100V，RDS(导通)=26mΩ（最大值）@VGS=10V，ID=27.5A

•低栅极电荷（典型值75nC）

•低Crss（典型值130pF）

•100%雪崩测试

•175°C最大结温

table{border-collapse:collapse;}table,th,td{border:1pxsolid#000;}

FQP55N10

N-ChannelQFET®MOSFET

100V,55A,26mΩ

Description

ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproduced