片式无感高压电阻 HVR82、RI82 封装结构对高频阻抗的影响.docxVIP

片式无感高压电阻HVR82/RI82封装结构对高频阻抗的影响

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一、HVR82/RI82核心封装结构特征

HVR82与RI82属于同体系片式玻璃釉厚膜高压电阻，封装结构高度同源，均采用平面无感厚膜封装架构，摒弃传统绕线电阻的绕制结构，从物理结构上消除高频电感干扰，核心结构可分为四大模块，各模块均针对高频、高压工况优化设计：

1.基材结构：采用96%高纯氧化铝陶瓷基底，具备高绝缘、低介电损耗、高热导率特性，基底致密性高，可有效降低高频下的介质极化损耗，减少寄生电容生成；

2.电阻膜结构：核心采用蛇形对称丝印电阻膜图案，是实现无感特性的核心结构，区别于普通直条厚膜电阻；

3.封装防护结构：整体采用环氧树脂全包封保形涂层，绝缘耐压等级高，同时涂层厚度均匀、介电参数稳定，避免高频电场下的局部漏电与阻抗波动；

4.端电极结构：采用银钯底层+镀锡表层的平面端电极，无外接长引脚，缩短电流传输路径，大幅降低引线寄生电感。

两款器件核心参数一致，寄生电感可控制在0.05μH以内，属于纳亨级无感特性，适配高频脉冲、高频开关电路工况，仅在功率规格、外观尺寸细分档位存在