高带宽存储模组：AI算力升级重塑存储体系，全球高带宽存储模组进入规模化扩张期.docxVIP

全球市场研究报告

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高带宽存储模组是面向人工智能加速器、高性能计算芯片和高吞吐数据平台的三维堆叠式DRAM产品，通常由多层DRAM裸片、逻辑基底裸片、TSV、微凸点及键合封装材料构成，并通过超宽I/O与GPU、AIASIC、FPGA等计算芯片协同。产品具备高带宽、高容量、低每比特能耗、小封装占用和高可靠性，主要包括HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4及定制化产品，应用于AI服务器、云端训练与推理、超级计算、网络加速和专业计算等场景，综合毛利率约55%。

根据QYResearch调研整理，2025年全球高带宽存储模组市场规模约为346.00亿美元，2026年预计达到546.00亿美元，2032年将达到约1,984.83亿美元，2026–2032年期间复合增长率约为24.00%。上述规模主要覆盖存储厂商交付的HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4及后续代际产品，以成品模组销售收入为主要口径。需求增长由生成式AI训练与推理、长上下文、多模态模型、云厂商自研ASIC和高性能计算平台推动，单颗加速器的容量与带宽配置持续提升。供给端围绕HBM3E向HBM4切换、12层与16层堆叠、先进DRAM制程、TSV良率、热管理、客户认证及CoWoS等先进封装扩产。行业处于需求放量、产能扩张和代际切换阶段，未来增量主要来自AIGPU、定制AI芯片、云端推理、主权AI和下一代