CN119325249A 一种集成反向续流二极管的沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法 （扬州杰冠微电子有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119325249A

(43)申请公布日2025.01.17

(21)申请号202411688804.5H10D84/80(2025.01)

(22)申请日2024.11.25

(71)申请人扬州杰冠微电子有限公司

地址225000江苏省扬州市邗江区汽车产

业园新甘泉东路56号

(72)发明人朱秀梅杨程裘俊庆王毅

(74)专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事

务所(普通合伙)32283

专利代理师郭翔

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/63(2025.01)

H10D62/