电子器件 技术文件晶片直接键合工艺的研究(热和应力)报告资料.pdfVIP

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  • 2026-08-11 发布于浙江
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电子器件 技术文件晶片直接键合工艺的研究(热和应力)报告资料.pdf

OptimizationofaHigh-TemperatureHigh-PressureDirectWafer

BondingProcessforIII-VSemiconductors

RobertW.Martin,JamesK.Kozak,KevinAnglin,WilliamGoodhue

UniversityofMassachusettsLowellPhotonicsCenter

Abstract:DirectwaferfusionofIII-VFigure1).Eachwaferisfirstcleanedandaligned

semiconductorsrequiresbothhightemperatureandfacetofaceinmethanolbeforebeingloadedintothe

pressureto

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