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半导体前道物理气相沉积铜种子层悬突：自离子化等离子体设备与靶材功率/压力竞争

摘要

本报告聚焦半导体前道互连工艺中，物理气相沉积（PVD）铜种子层悬突（Overhang）的控制问题，深入分析应用材料公司（AppliedMaterials）自离子化等离子体（SIP）EnCoRe技术在这一关键领域的竞争态势。

核心发现表明，铜种子层悬突的控制已演变为一场涉及设备架构、靶材设计与工艺参数的精密竞争。应用材料凭借SIPEnCoRe技术，通过高功率与低压力的协同，实现了对底部覆盖与悬突的优化，但面临着来自其他设备制造商及靶材供应商在自溅射产额与等离子体约束方面的持续挑战。

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