CN119542120A 一种用于抑制Si基AlN外延片射频损耗的外延结构及其工艺 (湖北九峰山实验室).pdfVIP

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  • 2026-08-09 发布于重庆
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CN119542120A 一种用于抑制Si基AlN外延片射频损耗的外延结构及其工艺 (湖北九峰山实验室).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119542120A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202411710397.3C30B29/38(2006.01)

C30B31/22(2006.01)

(22)申请日2024.11.27

(71)申请人湖北九峰山实验室

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区九龙湖街9号

(72)发明人熊国栋张洁琼柳俊彭文斌

刘文俊

(74)专利代理机构武汉蓝宝石专利代理事务所

(特殊普通合伙)42242

专利代理

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