CN119495710A 一种高温自愈的复合硅碳电极及其制备方法 (扬州大学).pdfVIP

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  • 2026-08-09 发布于重庆
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CN119495710A 一种高温自愈的复合硅碳电极及其制备方法 (扬州大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119495710A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411694028.XH01M4/134(2010.01)

H01M4/1393(2010.01)

(22)申请日2024.11.25

H01M4/1395(2010.01)

(71)申请人扬州大学

H01M4/62(2006.01)

地址225009江苏省扬州市大学南路88号

申请人中国兵器装备集团兵器装备研究所

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