高性能器件外延生长模式控制及其优化.pdfVIP

28高性能器件的外延生长模式控制

HANSJ.SCHEELSCHEEL公司，Sonnenhof13，

CH-8808Pfäffikon，

外延制造方法、衬底与薄膜之间的界面能以及主要生长参数——热力学驱动力、

衬底与层之间的不匹配、衬底错位和生长温度——决定了生长模式，从而决定

了层的结构完整性、纯度、均匀性、表面平整度和界面突变性。除了Bauer

（1958）定义的经典三种生长模式外，我们还定义了四种不同的生长模式并

描述了它们的发生。通过系统分析，可以为特定的器件结构推导出单一最优的

生长技术，同时考虑层和表面的完整性，以及器件性能、经济和生态因素。对

于热力学稳定性有限的化合物，如化合物和高温超导体，许多情况下可

以通过液相外延（LPE）实现最佳的层完整性。

28.1引言

微电子、光子和磁件的性能和受到外延层的纯度、结构完美性和均

匀性的限制，同时也受到层表面和界面的平整度和突变性的限制。例如，宫

泽等人在1986年证明了位错对晶体管（晶圆上的阈值电压变化）的有害影响，

莱斯特等人在1995年综述了发光二极管效率与位错密度的关系。生长模式的

控制以及由此决定的外延制造方法和生长参数决定了层和表面的完美性。除