CN119649961A 一种基于K掺杂和晶界调控提升BaF2氟离子电导率的方法 (湘潭大学).pdfVIP

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  • 2026-08-12 发布于重庆
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CN119649961A 一种基于K掺杂和晶界调控提升BaF2氟离子电导率的方法 (湘潭大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119649961A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411699220.8

(22)申请日2024.11.26

(71)申请人湘潭大学

地址411105湖南省湘潭市雨湖区

(72)发明人杨振华刘玉容张泽雨马忠云

(51)Int.Cl.

G16C60/00(2019.01)

H01M10/0562(2010.01)

H01M10/054(2010.01)

G16C20/20(2019.01)

G16C20/30(2019.01)

G16C10/00(2019.01)

G16C20/70(2019.01)

G16C20/1

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