T∕CASAS 021-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法.pdfVIP

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  • 2026-08-12 发布于浙江
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T∕CASAS 021-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法.pdf

ICS31.080.30

CCSL44

团体标准

T/CASAS021—2025

代替T/CASAS021—2024

碳化硅金属氧化物半体场效应晶体管

(SiCMOS

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