GBT 30856-2025 LED外延芯片用砷化镓衬底标准立项发展报告.docx

LED外延芯片用砷化镓衬底标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:GalliumArsenideSubstratesforLEDEpitaxialChips

摘要

砷化镓（GaAs）作为第二代化合物半导体材料的代表，凭借其优异的电子迁移率、直接带隙发光特性及良好的抗辐射性能，已成为LED外延芯片制造领域不可或缺的核心基础材料。随着Mini-LED、Micro-LED等新型显示技术的快速崛起以及深紫外消毒、植物照明等新兴应用场景的持续拓展，市场对砷化镓衬底的晶体质量、几何精度、表面洁净度及电学性能等关键指标提出了更为严苛的要求。在此背