湖南大学考研863数字与模拟电子技术真题及详细答案（考场回忆完整版）.docxVIP

湖南大学考研863数字与模拟电子技术真题及详细答案（考场回忆完整版）

适用专业：电子科学与技术、电子信息（集成电路、微电子方向）

参考教材：康华光《电子技术基础》模拟部分+数字部分（第六版）

试卷说明：满分150分，考试时间180分钟，题型包含简答、分析计算、电路设计、综合大题，贴合湖大近年真题命题规律，解析采用考场答题规范，无模板化话术

一、简答题（每题8分，共40分）

1.简述三极管放大电路中截止失真与饱和失真的成因、现象及解决方法

参考答案：

（1）成因本质：两类失真均为静态工作点设置不合理导致的非线性失真，由三极管输入输出特性非线性引发，区别在于工作点偏移方向不同。

（2）截止失真：静态工作点Q偏低，IB过小。输入正弦信号负半周时，三极管进入截止区，输出波形正半周被削顶。

（3）饱和失真：静态工作点Q偏高，IB过大。输入正弦信号正半周时，三极管进入饱和区，输出波形负半周被削底。

（4）解决方法：截止失真减小基极偏置电阻，增大IB，抬高静态工作点；饱和失真增大基极偏置电阻，减小IB，降低静态工作点。调整后需复测静态工作点，保证工作在放大区。

2.理想运放的两个重要特性“虚短”和“虚断”，说明其适用条件及物理意义

参考答案：

适用条件：运放工作在线性放大状态，必须引入深度负反馈，非线性状态下虚短失效，仅虚断始终成立。

虚短：运放开环差模增益极大，线性工作时输入差模电压近似