CN119145047A 一种分子束外延系统镓源炉温度优化方法 (新磊半导体科技(苏州)股份有限公司).pdfVIP

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  • 2026-08-13 发布于重庆
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CN119145047A 一种分子束外延系统镓源炉温度优化方法 (新磊半导体科技(苏州)股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119145047A

(43)申请公布日2024.12.17

(21)申请号202411662572.6

(22)申请日2024.11.20

(71)申请人新磊半导体科技(苏州)股份有限公

地址215151江苏省苏州市高新区建林路

666号出口加工区配套工业园28号厂

(72)发明人郭帅蒋建谢小刚

(51)Int.Cl.

C30B25/14(2006.01)

C30B25/16(2006.01)

C30B29/40(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

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