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CN119830850A 一种高低温循环条件下功率半导体器件仿真方法 （扬州大学）.pdfVIP

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  • 2026-08-13 发布于重庆
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CN119830850A 一种高低温循环条件下功率半导体器件仿真方法 （扬州大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119830850A

    (43)申请公布日2025.04.15

    (21)申请号202411712245.7G06F119/14(2020.01)

    (22)申请日2024.11.27

    (71)申请人扬州大学

    地址225009江苏省扬州市邗江区大学南

    路88号

    (72)发明人薛玉雄陈肖曹荣幸刘涵勋

    刘洋郑澍李佳妍冯子华

    (74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限

    公司32200

    专利代理师朱小兵

    (51)Int.Cl.

    G06F30/398(2020.01)

    G06F30/367(2020.01)

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