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公司半导体芯片制造工技术考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体晶圆制备过程中，直拉法（Czochralski法）生长单晶硅时，籽晶的主要作用是：

A.提高晶体生长速率

B.控制晶体的晶向

C.增加硅锭的纯度

D.降低生长温度

答案：B

2.光刻工艺中，曝光后显影的主要目的是：

A.去除未曝光的光刻胶

B.固化光刻胶结构

C.增强光刻胶与衬底的粘附性

D.形成最终图形轮廓

答案：A

3.干法刻蚀与湿法刻蚀相比，最显著的优势是：

A.成本更低

B.刻蚀速率更快

C.各向异性更好

D.对设备要求更简单

答案：C

4.化学气相沉积（CVD）中，等离子体增强型（PECVD）的主要作用是：

A.提高沉积温度

B.降低沉积所需的活化能

C.增加薄膜的致密度

D.减少反应气体用量

答案：B

5.离子注入工艺中，退火步骤的核心目的是：

A.去除注入过程中产生的晶格损伤

B.提高注入离子的浓度

C.降低晶圆表面温度

D.增强离子与衬底的结合力

答案：A

6.晶圆清洗工艺中，SC-1溶液（标准清洗液1）的主要成分是：

A.盐酸+双氧水+水

B.氨水+双氧水+水

C.氢氟酸+水

D.