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公司半导体芯片制造工内部技能考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.以下哪项是光刻工艺中用于将掩膜版图案转移到晶圆表面的关键材料？

A.光刻胶

B.多晶硅

C.氮化硅

D.二氧化硅

答案：A

2.干法刻蚀与湿法刻蚀相比，最显著的优势是？

A.成本更低

B.各向异性更好

C.设备更简单

D.对环境更友好

答案：B

3.化学气相沉积（CVD）过程中，反应气体在晶圆表面发生的主要变化是？

A.物理吸附

B.化学反应生成固态薄膜

C.离子溅射

D.热蒸发

答案：B

4.离子注入工艺中，决定掺杂深度的主要参数是？

A.注入剂量

B.注入能量

C.束流强度

D.靶室温度

答案：B

5.晶圆清洗工艺中，SC-1溶液（氨水+双氧水+水）的主要作用是？

A.去除金属离子

B.去除有机物和颗粒

C.去除氧化层

D.调整表面亲水性

答案：B

6.以下哪种设备用于检测晶圆表面纳米级缺陷？

A.扫描电子显微镜（SEM）

B.光学显微镜

C.四探针测试仪

D.椭偏仪

答案：A

7.光刻工艺中，“对准精度”主要影响芯片的？

A.电性能一致性

B.表面平整度

C.光刻胶残