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FDG6301N_F085双沟道数字场效应管技术规格书.pdfVIP

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  • 2026-08-14 发布于北京
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FDG6301N_F085双沟道数字场效应管技术规格书.pdf

    2009年3月

    _

    FDG6301NF085

    双N沟道数字场效应管

    概述特性

    25伏，0.22安培连续工作，0.65安培峰值。

    该双N沟道逻辑电平增强型

    场效应晶体管采用飞兆的RDS(ON)=4@VGS=4.5伏，

    专有高单元密度DMOS技术制造。该RDS(ON)=5@伏GS=2.7V。

    极度工艺专为

    最小化导通电阻而设计。该器件已极低的栅极驱动需求，可直接

    专为低压应用设计，作为

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