周期性微结构赋能氮化镓基发光二极管性能提升的研究.docxVIP

周期性微结构赋能氮化镓基发光二极管性能提升的研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今光电子技术飞速发展的时代，氮化镓基发光二极管（GaN-basedLightEmittingDiodes，GaN-LED）凭借其独特的优势，如宽禁带、高电子迁移率、高热导率等，在照明、显示、光通信等众多领域展现出巨大的应用潜力，成为了光电子领域的研究热点之一。自20世纪90年代氮化镓材料的外延技术取得突破性进展以来，GaN-LED的研发和应用取得了显著的成果，实现了绿光、蓝光、紫外光以及白光等多种颜色的发光，在交通信号灯、全色彩显示、液晶显示屏背光以及白光照明等领域得到了广泛应用。

尽管氮化镓基发光二极管取得了长足的发展，但目前仍然面临着一些关键的发展瓶颈。在发光效率方面，内量子效率和外量子效率的提升遇到了瓶颈。内量子效率受限于量子阱中的非辐射复合中心以及电子-空穴对的不完全复合，例如在高电流密度下，俄歇复合等非辐射复合过程加剧，导致内量子效率下降，出现效率滚降现象，这严重制约了LED在大功率应用场景下的性能表现。外量子效率则受到芯片内部结构和材料特性的影响，如芯片内部的全反射效应使得大量光子被限制在芯片内部无法有效出射，光提取效率较低，限制了LED整体发光效率的进一步提升。

在散热方面，随着LED功率的不断提高，产生的热量也随之增加。氮化镓材料与常