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60V N沟道MOSFET技术参数与应用领域概述.pdf

60V N沟道MOSFET技术参数与应用领域概述.pdf

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    FDI030N06

    N沟道PowerTrench®MOSFET

    60伏，193安，3.2毫Ω

    特性

    •导通电阻= 2.6毫Ω(典型值)@栅源电压= 10∨，漏极电流= 75安

    •快速开关速度

    •低栅极电荷

    •高性能沟槽技术实现极低导通电阻RDS(on)∘

    •高功率和电流处理能力

    •符合RoHS

    描述该N沟道MOSFET

    采用飞兆®先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在

    保持卓越开关性能的同时最小化导通电阻。

    应用领域

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