石墨烯基范德华外延：极低应力氮化镓薄膜生长的创新突破.docxVIP

石墨烯基范德华外延：极低应力氮化镓薄膜生长的创新突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体技术作为现代信息技术的核心支撑，持续推动着各类电子设备和系统的革新与进步。以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，凭借其宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等优异特性，在光电子、电力电子和微波射频等领域展现出巨大的应用潜力，成为全球半导体领域研究的焦点。例如，在5G通信基站中，氮化镓射频器件凭借其高功率密度、高效率和宽带宽特性，有效提升了信号传输的覆盖范围和速度；在新能源汽车的电力驱动系统中，碳化硅功率器件显著提高了电能转换效率，延长了车辆的续航里程。

目前，Ⅲ族氮化物薄膜大多通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上外延制备。然而，蓝宝石与氮化物之间存在较大的晶格失配（约16%）与热失配（热膨胀系数差异较大），这使得外延薄膜内部产生大量缺陷和应力，严重影响了器件的性能及可靠性。例如，在氮化镓基发光二极管（LED）中，高缺陷密度会导致发光效率降低、寿命缩短；在功率器件中，应力集中可能引发器件的过早失效。此外，传统晶体衬底尺寸有限、价格昂贵，且缺乏柔性，极大地限制了相关器件的大规模生产和应用拓展，如在柔性显示和可穿戴电子设备领域，传统衬底的刚性成为关键制约因素。因此，开发新型的衬底材料和外延生长技术，摆脱对传统单