原创力文档********版图CMOS模拟集成电路**Outline1.引言2.MOS晶体管3.对称性4.无源器件5.连线6.噪声及干扰**1.引言版图设计规则：最小宽度、间距、包围、延伸latchup、ESD、天线效应**2.MOS晶体管叉指晶体管叉指晶体管可以降低S/D结面积和栅电阻；设计时，栅电阻应小于其跨导的倒数；低噪中，栅电阻是1/gm的1/5到1/10叉指数N↑→周边电容CP↑为了减小Cp，源漏宽度要比W小。**3.对称性**3.对称性**基准电路的分布Better!3.对
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