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半导体设备研发工程师考试试卷及答案

半导体设备研发工程师考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.光刻工艺中，影响分辨率的三大因素是光源波长、数值孔径和______。

2.等离子体蚀刻中，常用的反应气体类型包括氟基、氯基和______。

3.半导体设备中的真空系统主要由真空泵、真空腔和______组成。

4.晶圆传输系统中，常用的机械臂类型有SCARA和______。

5.薄膜沉积技术中，化学气相沉积的英文缩写是______。

6.半导体设备的故障诊断中，常用的方法包括振动分析、温度监测和______。

7.光刻胶的主要成分包括树脂、感光剂和______。

8.离子注入工艺中，控制注入