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半导体晶圆抛光工艺技师考试试卷及答案

半导体晶圆抛光工艺技师考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.化学机械抛光的英文缩写是______。

2.半导体晶圆抛光常用的磨料是______（填化学名称）。

3.抛光垫的主要材料通常是______。

4.CMP工艺的核心目的是实现晶圆表面的______。

5.抛光过程中施加的压力常用单位是______。

6.晶圆抛光后清洗常用的酸性试剂是______（填化学式）。

7.抛光垫修整器的主要材料是______。

8.常见的半导体晶圆直径规格有12英寸和______英寸。

9.CMP终点检测的常用技术之一是______干涉法。

10.抛光液中用于调