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MEMS温度传感器研发工程师考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.MEMS温度传感器中基于电阻变化的类型常见的有______和______。

答案：热敏电阻、RTD

2.硅的电阻率随温度升高而______。

答案：增大

3.MEMS工艺中用于图形转移的关键步骤是______。

答案：光刻

4.热电偶温度传感器的工作原理基于______效应。

答案：塞贝克

5.衡量温度传感器响应快慢的参数是______。

答案：响应时间

6.MEMS温度传感器常用的绝缘层材料是______。

答案：氧化硅

7.真空封装可减少______带来的热损失。

答案：热对流

8.PN结温度传感器的输出电压随温度升高而______。

答案：降低

9.传感器精度表示测量值与______的接近程度。

答案：真实值

10.MEMS温度传感器校准通常需要______个已知温度点。

答案：至少两

单项选择题（共10题，每题2分）

1.下列哪种MEMS温度传感器灵敏度最高？（）

A.热敏电阻B.RTDC.热电偶D.PN结

答案：A

2.硅基传感器中掺杂浓度增加会使电阻温度系数（）

A.增大B.减小C.不变D.不确定

答案：B

3.用于形成高深宽比结构的工艺是（）

A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.光刻D.沉积

答案：B

4.真空封装减少的主要热传递方式是（）

A.传导B.对流C.辐射D.以上都不是

答案：B

5.P